2SB647 PDF

Зачем ТЗ? Оно позволяет увеличить коэффициент усиления каскада за счет двух факторов: - замены нагрузочных резисторов наа "динамическую нагрузку", сопротивление которой считается так же как и выходное сопротивление ГСТ на биполярном транзисторе; - возможности замены дифференциалььного выхода на недифференциальный путем сложения токов, что дает возможность присоединения его к недифференциальному входу второго каскада УМ и увеличивает коэффициент усиления в 2 раза. Зачем увеличивать коэффициент усиления каскада? Он был снижен эмиттерными резисторами для повышения его линейности, а для обеспечения необходимой глубины обратной связи коэффициент усиления каскада с резистивной нагрузкой получается маловат. ГСТ- генератор стабильного тока.

Author:Modal Goltirisar
Language:English (Spanish)
Published (Last):20 November 2019
PDF File Size:12.67 Mb
ePub File Size:16.52 Mb
Price:Free* [*Free Regsitration Required]

Low frequency power amplifier? Emitter 2. Collector 3. Collector Current —1. Products and product specifications may be subject to change without notice. Confirm that you have received the latest product standards or specifications before final design, purchase or use. Hitachi makes every attempt to ensure that its products are of high quality and reliability. Design your application so that the product is used within the ranges guaranteed by Hitachi particularly for maximum rating, operating supply voltage range, heat radiation characteristics, installation conditions and other characteristics.

Hitachi bears no responsibility for failure or damage when used beyond the guaranteed ranges. Even within the guaranteed ranges, consider normally foreseeable failure rates or failure modes in semiconductor devices and employ systemic measures such as failsafes, so that the equipment incorporating Hitachi product does not cause bodily injury, fire or other consequential damage due to operation of the Hitachi product. This product is not designed to be radiation resistant.

No one is permitted to reproduce or duplicate, in any form, the whole or part of this document without written approval from Hitachi. Hitachi, Ltd. Nippon Bldg. Electronic Components Group. Hitachi Asia Hong Kong Ltd.

All rights reserved. Printed in Japan.


Hitachi Semiconductor



2SB647 Bipolar Transistor


Related Articles